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IRF533FI

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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文件：187.75 Kbytes 页数：3 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Minimum Operating Temperature：

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation：

    79000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage：

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage：

    80V

  • Maximum Continuous Drain Current：

    12A

  • Configuration：

    Single

  • Channel Type：

    N

  • Channel Mode：

    Enhancement

  • Category：

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
IRF533
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更多IRF533供应商 更新时间2026-1-20 15:35:00

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