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IRF530PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation

文件:608.52 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF530PBF

Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements

文件:3.55687 Mbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF530PBF

N-Channel MOSFET Transistor

文件:280.81 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF530PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    160 mΩ @ 8.4A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    88W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
25+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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Vishay(威世)
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TO-220A
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全新原装正品 现货供应
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更多IRF530P供应商 更新时间2025-12-16 15:41:00