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IRF453	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low Rds(on) ) at high voltage • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polysillcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High v 文件：214.37 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRF453	文件：48.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：48.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF453	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
IRFP453	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS 文件：212.66 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRFP453	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：67.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP453	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

更多IRF453供应商更新时间2025-12-11 16:30:00