IRF440数据手册ONSEMI中文资料规格书
IRF440规格书详情
描述 Description
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power.
技术参数
- 型号：
IRF440
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
- 功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 500V 8A 2PIN TO-204AA - Bulk
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-204AA; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
8A; Drain Source Voltage
- Vds：
500V; On Resistance
- Rds(on)：
850mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V ;RoHS
- Compliant：
No
- 制造商：
Harris Corporation
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IR |
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