IRF40H233分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRF40H233 |
| 参数属性 | IRF40H233 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：TRENCH \u003c= 40V |
| 功能描述 | MOSFET - StrongIRFET짧 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TDSON-8-4 / 8-PowerTDFN |
| 文件大小 |
1.24101 Mbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-6 23:01:00 |
| 人工找货 | IRF40H233价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRF40H233规格书详情
IRF40H233属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由英飞凌科技股份公司制造生产的IRF40H233晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
IRF40H233XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
2 N-通道（双）
- FET 功能：
标准
- 漏源电压（Vdss）：
40V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
PG-TDSON-8-900
- 描述：
TRENCH \u003c= 40V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
12225 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TDSON-8-4 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TDSON-8-4 |
25000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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PQFN5X68L |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TDSON-8-4 |
10613 |
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Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TDSON-8-4 |
9600 |
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INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
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Infineon(英飞凌) |
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Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TDSON-8-4 |
8000 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TDSON-8 |
7000 |
询价 |
