| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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8年
留言
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IRTO-262 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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4年
留言
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IRSOT263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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14年
留言
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IRSOT263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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5年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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10年
留言
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IRTO-220 |
33900 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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5年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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6年
留言
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IR |
65230 |
24+ |
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7年
留言
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INFINEONTO-220 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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12年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220AB |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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13年
留言
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IRTO-220 |
29840 |
26+ |
主营MOS管 二极.三极管 肖特基二极管.功率三极管 |
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14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
28523 |
23+ |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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12年
留言
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IRTO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
IRF3711采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3711图片
IRF3711PBF价格
IRF3711PBF价格：￥4.2737品牌：IR
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IRF3711中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3711功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRF3711L功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711LHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-262 - Bulk
IRF3711LPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711S功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711SHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3711SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
