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IRF223	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF223	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF223	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF223	文件：135.19 Kbytes Page：3 Pages	Nanosecond Switching Speeds Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF223	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
IRF223	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	High Speed Applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF223	文件：154.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Mosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

技术参数

Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Drain Source Voltage：
150V
Maximum Continuous Drain Current：
4A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Category：
Power MOSFET

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