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IRF200P222	文件：322.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=182A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：322.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF200P222	文件：1.07117 Mbytes Page：17 Pages	UPS and Inverter applications 文件：1.07117 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF200P222	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-247AC 封装的 200V 单 N 通道 StrongIRFET ™ \n优势:\nImproved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Lead-Free, RoHS Compliant;	Infineon 英飞凌	Infineon
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IRF200P223	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247AC	Infineon 英飞凌上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	Infineon

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更多IRF200P222供应商更新时间2025-12-10 14:02:00