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IRF140ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R	NJS	NJS
IRF140SMD	文件：22.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：22.64 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFM140	文件：211.73 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET TRANSISTOR 100 Volt, 0.077 Ohm HEXFET The HEXFET® technology is the key to international Rectifiers advance line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance. FEATURES: ■ Repetitive Avalanche Rating ■ Isolated and Her 文件：211.73 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFM140	文件：621.05 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：621.05 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
230000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
55V
Maximum Continuous Drain Current：
150A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF140ES供应商更新时间2025-12-13 11:10:00

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