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IRF840	文件：544.88 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSN-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRF840	文件：152.01 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A) PowerMOSFET VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A NChannel	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840	文件：206.7 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF840	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840	文件：118.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor Designedforhighvoltage,highspeedswitchingpowerapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelay FEATURES 1.DrainCurrent–ID=8.0A@TC=25℃ 2.DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) 3.StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.8	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：96.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-AC convertersandhighcurrenthighspeedswitchingcircuits.APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffasts	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF840	文件：436.08 Kbytes Page：17 Pages	A0.9-AConstantCurrentSupplywithPFCfor100-WLED	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IRF840	文件：337.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF840areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI

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详细参数

型号：
IRC840
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)

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