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IR2308	文件：107.68 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2308(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rug gedized monolithic construction. Features •Floating channel designed for 文件：107.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308	文件：109.68 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.68 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2308	文件：109.67 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308	文件：109.67 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 输出与输入同相\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移。\n• 内部死区时间为 540ns\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2308S	文件：107.68 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2308(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rug gedized monolithic construction. Features •Floating channel designed for 文件：107.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308SPBF	文件：107.68 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2308(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rug gedized monolithic construction. Features •Floating channel designed for 文件：107.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308_15	文件：109.67 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IR2308S	文件：109.68 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.68 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2308STRPBF	文件：109.67 Kbytes Page：8 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：109.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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技术参数

Product Status：
active
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.097 A
Output Current Source：
0.2 A
Output Current Sink min：
0.25 A
Output Current Sink：
0.35 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PDIP8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
220 ns
Turn Off Propagation Delay max：
280 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
220 ns
Rise Time：
150 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
50 ns
UVLO Input On：
8.9 V
UVLO Output On：
8.9 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IR2308	IOR	24+	DIP-8P	70		询价
深圳市弘为电子有限公司	IR2308	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	IR2308	IR	25+	DIP8L	10000	强调现货,随时查询!	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	IR2308	IOR	25+	DIP8	2987	绝对全新原装现货供应!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IR2308	IR	23+	DIP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IR2308	IR	23+	DIP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IR2308	IR	21+	DIP8	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IR2308	IR	22+	DIP8L	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IR2308	IR		DIP8L	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IR2308	IR	22+	DIP8	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价

更多IR2308供应商更新时间2025-12-1 16:30:00

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