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HALF-BRIDGE DRIVER 文件:375.29 Kbytes 页数:24 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
600 V half-bridge gate driver IC with shutdown and programmable deadtime 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流,采用 14 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出拉/灌电流能力为 1.4A/1.8A\n\n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
具有关断功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC、 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出拉/灌电流能力为 1.4A/1.8A\n\n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:14-DIP(0.300",7.62mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号:
IR2184
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.7V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.9A,2.3A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
40ns,20ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
8-PDIP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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