| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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16年
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53500 |
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12年
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4年
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12000 |
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5年
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12年
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16年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
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7年
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8年
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INFINEONSOP-8 |
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进口原装现货 |
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7年
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7年
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
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4年
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15年
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10000 |
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3年
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数据列表 IR2181(4)(S) (PbF) 产品相片 8-SOIC 产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) 标准包装 95 类别 集成电路 (IC) 家庭 PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开
IR2181STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2181S功能描述:IC DRIVER HI/LO 600V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2181SPBF功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2181STRPBF功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On Non Invrt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IR2181S
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.7V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.9A,2.3A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
40ns,20ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC



































