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RN2109	文件：177.71 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107~RN1109	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109ACT	文件：150.69 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitand DriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensity fabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. •Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109F	文件：217.25 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107F~RN1109F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109MFV	文件：200.7 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting ●Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,so enablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-2109	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2109HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SF2109D	文件：226.25 Kbytes Page：6 Pages	305.00MHzSAWFilter 305.00MHzSAWFilter •LowInsertionLoss •3.8X3.8X1.2mmSurface-MountCase •Differential750OhmINand900OhmOUT •ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS)	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
SI2109	文件：1.24083 Mbytes Page：94 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSSWITHQUICKLOCKANDQUICKSCAN	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI2109	文件：952.89 Kbytes Page：80 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI2109-X-FM	文件：1.24083 Mbytes Page：94 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSSWITHQUICKLOCKANDQUICKSCAN	SILABS Silicon Laboratories	SILABS

产品属性

产品编号：
IR2109STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
150ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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