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IR2104S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:138.55 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IR2104STR

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:138.54 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IR2104S

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown

600 V 低边栅极驱动器 IC,用于IGBT 和MOSFET,具有典型的 0.21 A 拉电流和 0.36 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装和电平转换技术。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V\n• 欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 内置死区时间\n• 高边输出与 HIN 输入同相\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IR2104S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

IR2104SPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2104

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    210mA,360mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    100ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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更多IR2104供应商 更新时间2026-1-23 9:29:00