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IR2102PBF	文件：144.27 Kbytes Page：14 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：144.27 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IR2102PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2102S	文件：209.22 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard 文件：209.22 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR2102S	文件：138.73 Kbytes Page：13 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard 文件：138.73 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IR2102S	文件：148.56 Kbytes Page：14 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard 文件：148.56 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IR2102PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
210mA，360mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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