IR2102S集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IR2102S |
参数属性 | IR2102S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
148.56 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-27 22:59:00 |
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IR2102S规格书详情
IR2102S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的IR2102S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
Description
The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Features
• Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 to 20V
• Undervoltage lockout
• 3.3V, 5V, and 15V logic input compatible
• Matched propagation delay for both channels
• Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of
phase with inputs (IR2102)
• Also available LEAD-FREE
产品属性
更多- 产品编号:
IR2102S
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
散装
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
210mA,360mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
100ns,50ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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