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IR20153S	文件：220.17 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE Description The IR20153S is a high voltage, high speed power MOSFET driver . Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS output down to 3.3V. The output driver features a high pulse current buffer 文件：220.17 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR20153SPBF	文件：220.17 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE Description The IR20153S is a high voltage, high speed power MOSFET driver . Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS output down to 3.3V. The output driver features a high pulse current buffer 文件：220.17 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IR20153S	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE	Infineon 英飞凌	Infineon
IR20153SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR20153STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IR20153SPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.4V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
200ns，100ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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