选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
1900 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
22316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
10600 |
19+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONSOP8 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONSOP8 |
20000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONSOP8 |
20000 |
23+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONSOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
10922 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
22500 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
18317 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOP-8 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
300 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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IR2108STR图片
IR2108STRPBF价格
IR2108STRPBF价格:¥5.5251品牌:International
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IR2108STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2108STR功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2108STRPBF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IR2108STR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.9V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
200mA,350mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
150ns,50ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC