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IR2010S	文件：300 bytes Page：1 Pages	200 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 3 A 拉电流和 3 A 灌电流，采用 16 引脚 SOICWB 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 200 V 容许负瞬态电压高\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3 V 逻辑兼容独立逻辑电源范围 3.3V 至 20V 逻辑和电源接地 +/- 5V 偏移\n• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入\n• 关断输入将关闭两个通道\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 输出与输入同相\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2010PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2010SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2010STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
200 V
Output Current Source min：
2.5 A
Output Current Source：
3 A
Output Current Sink min：
2.5 A
Output Current Sink：
3 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PDIP14
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
135 ns
Turn On Propagation Delay：
95 ns
Turn On Propagation Delay min：
50 ns
Turn Off Propagation Delay max：
105 ns
Turn Off Propagation Delay：
65 ns
Turn Off Propagation Delay min：
30 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
20 ns
Rise Time：
10 ns
Fall Time max：
25 ns
Fall Time：
15 ns
UVLO Input On：
8.6 V
UVLO Output On：
8.6 V

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更多IR2010供应商更新时间2025-10-11 14:06:00

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