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IPW65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	Marking：65F6150；Package：PG-TO247；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R150CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R150CFDA	文件：2.19525 Mbytes Page：16 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ASA65R150E	文件：2.34549 Mbytes Page：11 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications BoostPFCswitch,single-endedflybackortwo-transistorforward, HalfbridgeorAsymmetrichalfbridgeorSeriesresonancehalfbridgetopologies. PCpower,Adaptor,LCD&PDPTV,LEDLighting,Serverpower, Telecompower,andUPSApplication. Features Lowdrain-sourceon-resis	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ASM65R150E	文件：2.34549 Mbytes Page：11 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications BoostPFCswitch,single-endedflybackortwo-transistorforward, HalfbridgeorAsymmetrichalfbridgeorSeriesresonancehalfbridgetopologies. PCpower,Adaptor,LCD&PDPTV,LEDLighting,Serverpower, Telecompower,andUPSApplication. Features Lowdrain-sourceon-resis	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
IIPP65R150CFD	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPA65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPB65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPW65R150CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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