N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Suitable for hard and soft switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤40mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能

600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。\n CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ • 开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss\n• 最佳品质因数 Q G*R DS(on)\n• 开关频率增加\n• 世界上最佳的 R (on)*A\n• 坚固体二极管\n\n优势:\n• 可在不损失效率的情况下增加开关频率\n• 为轻负载和满载效率测量显示关键参数\n• 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半\n• 对于相同的 R DS(on)，包装更小\n• 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置;

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