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IPU04N03LB G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 50A IPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：417.75 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PJ04N03D	文件：254.91 Kbytes Page：5 Pages	25V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES • RDS(ON),VGS@10V,I DS@30A=4mΩ • RDS(ON),VGS@5.0V,I DS@24A=6mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • In compliance 文件：254.91 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
04N03	文件：1.60159 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.60159 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N03	文件：1.6019 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.6019 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N03L	文件：1.60163 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.60163 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IPU04N03LB
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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