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IPU13N03LAG	文件：403.6 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 13NO3LA->CorrectPartnumber:13N03LA 1.Idealforhigh-frequencydc/dcconverters 2.QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications 3.N-channel,logiclevel 4.ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) 5.Superiorthermalresistance 6.175°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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PHK13N03LT	文件：691.9 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHKD13N03LT	文件：781.66 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHKD13N03LT	文件：1.05121 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
IPU13N03LAG
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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