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PHKD13N03LT	文件：781.66 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits 文件：781.66 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHKD13N03LT	文件：241.47 Kbytes Page：12 Pages	Dual TrenchMOS??logic level FET 文件：241.47 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHKD13N03LT	文件：204.41 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：204.41 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PHKD13N03LT	文件：1.05121 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.05121 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PHKD13N03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHKD13N03LT - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET - Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Simple gate drive required due to low gate charge\n·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
26
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
10.4
Q_GD [typ] (nC)：
3.9
P_tot [max] (W)：
3.57
Q_r [typ] (nC)：
5
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
752
C_oss [typ] (pF)：
200
Date：
2011-01-05

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