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IPT60R150G7	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用开尔文源概念的新型 SMD 封装 For the first time the CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high curre CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET\n • Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G\n• Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint\nTO-Leadless package\n • Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)\n• Is MSL1 compliant, total Pb-free, has eas;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT60R150G7	文件：1.0006 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R150G7；Package：PG-HSOF-8；600V CoolMOS짧 G7 Power Transistor 文件：1.0006 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPDD60R150G7	文件：1.21706 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS??G7 Power Transistor 文件：1.21706 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPU10N03LAG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-251AA-3	INFINEON 英飞凌上传：深圳市宇集芯电子有限公司	INFINEON
IPW60R037P7	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	5000 上传：深圳市亿智腾科技有限公司	5000

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更多IPT60R150G7供应商更新时间2024-2-29 11:17:00