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IPT60R125G7

采用开尔文源概念的新型 SMD 封装

CoolMOS ™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列 (G7) 首次融合了改进的 600V CoolMOS ™ C7 Gold 技术、4 引脚开尔文源能力以及 TO-Leadless (TOLL) 封装改进的热性能的优势,从而为高电流硬开关拓扑(例如高达 3kW 的功率因数校正 (PFC))和谐振电路(例如高端 LLC)提供了可能的 SMD 解决方案。 • 同类最佳的 FOM R DS(on) x E oss\n• 同类最佳的 R DS(on) x Q G\n• 内置开尔文源极引脚\n• 低寄生源极电感 (~1nH)\n• 符合 MSL1 标准,完全无铅\n• 提高热性能 R th;

Infineon

英飞凌

IPT60R125G7

丝印:60R125G7;Package:PG-HSOF-8;600V CoolMOS짧 G7 Power Transistor

文件:981.49 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPDD60R125G7

600V CoolMOS??G7 Power Transistor

文件:1.16275 Mbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPU10N03LAG

TO-251AA-3

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市宇集芯电子有限公司

IPW60R037P7

N/A

5000

技术参数

  • ID (@25°C) max:

    20 A

  • IDpulsmax:

    54 A

  • Ptotmax:

    120 W

  • Qgd:

    10 nC

  • QG:

    27 nC

  • QG(typ @10V):

    27 nC

  • RDS (on)max:

    125 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    125 mΩ

  • RthJAmax:

    62 K/W

  • RthJCmax:

    1.04 K/W

  • Rth:

    1.04 K/W

  • VDSmax:

    600 V

  • VGS(th):

    3.5 V

  • Mounting:

    SMT

  • Package:

    TOLL

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 150 °C

  • Pin Count:

    8 Pins

  • Polarity:

    N

  • Special Features:

    highest performance

  • Budgetary Price €/1k:

    1.52

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
英飞凌
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HSOF-8
5000
全新、原装
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更多IPT60R125G7供应商 更新时间2024-2-29 11:17:00