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IRFE430	文件：129.12 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETTRANSISTOR 500Volt,1.50Ω,HEXFET Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.TheLCCprovidesdesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRectifierhasengineeredtheLCCpa	IRF International Rectifier	IRF
IRFE430	文件：169.26 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：133.05 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：325.25 Kbytes Page：7 Pages	2.75A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF430	文件：23.73 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELENHANCEMENT FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF430	文件：96.08 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFR430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IPT430
功能描述：
TRIAC|400V V(DRM)|30A I(T)RMS|PRESS-19

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