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|---|---|---|---|---|
IPT059N15N3 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24686 Mbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IPT059N15N3 | N 沟道功率 MOSFET 英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化，例如，叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案，这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。 • 行业内较低的 (RDS(on))\n• 最高电流容量高达 300A\n• 极低的封装寄生效应和电感\n\n优势:\n• 需要较少的并联和冷却\n• 提高系统可靠性\n• 降低系统成本\n• 支持极为紧凑的设计; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24686 Mbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
SAMTEC/砷泰 | SAMTEC/砷泰 | SAMTEC/砷泰 | ||
SAMTEC/砷泰 | SAMTEC/砷泰 | SAMTEC/砷泰 |
技术参数
- OPN：
IPT059N15N3ATMA1
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
TOLL (PG-HSOF-8)
- VDS max：
150 V
- RDS (on) @10V max：
5.9 mΩ
- ID @25°C max：
155 A
- QG typ @10V：
69 nC
- Polarity：
N
- Operating Temperature min：
-55 °C
- Operating Temperature max：
175 °C
- Technology：
OptiMOS™ 3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
24+ |
HSOF-8 |
5000 |
全新、原装 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
HSOF8 |
10000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
H-PSOF-8-1 |
15200 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2038+ |
HSOF8 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||||
INFINEON |
25+ |
HSOF8 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
H-PSOF-8-1 |
2013 |
原装优势公司现货! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
HSOF8 |
7587 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
TO-220 |
1366 |
正规渠道原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 |
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更新时间2024-2-29 11:17:00
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- SI7905DN
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- SI7925DN
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
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