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IPT014N08NM5

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V,采用 TOLL 封装

\n优势:\n• Increased power density\n• Low voltage overshoot\n• Less paralleling required\n• Highest system efficiency\n• Reduced switching and conduction losses;

Infineon

英飞凌

IPT014N08NM5

丝印:014N08N5;Package:PG-HSOF-8;OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V

文件:916.15 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPTC014N08NM5

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V

文件:1.42047 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPT1-110-02-L-D

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

IPT1-110-06-L-D

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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更多IPT014N08NM5供应商 更新时间2024-2-29 11:17:00