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IPS090N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro

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Infineon

英飞凌

IPS090N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:1.35349 Mbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IPS090N03L G

20V-300V N-Channel Power MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

IPS090N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    40A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    9 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    15nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1600pF @ 15V

  • 功率耗散(最大值):

    42W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    PG-TO251-3

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短截引线,IPak

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更多IPS090N03L供应商 更新时间2025-12-16 14:01:00