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RTR040N03TL	文件：1.02544 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RXQ040N03	文件：1.28159 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RXQ040N03	文件：487.98 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF040N03M	文件：2.5723 Mbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF040N03Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimiz	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF040N03N	文件：2.41029 Mbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF040N03Ncombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimiz	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TFS040N03N	文件：4.19342 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTFS040N03Nusesadvancedtrenchtechnologytoprovi deexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature VDS=30V,ID=48A RDS(ON)	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TSM040N03CP	文件：370.25 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM040N03CPROG	文件：370.25 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
IPS040N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 90A 4mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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