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IPS040N03L	文件：247.75 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPS040N03LG	文件：416.71 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
OSX040N03-C	文件：374.95 Kbytes Page：10 Pages	OSX040N03HuaweiCompatibleTransceiverSFP10GBase-SR(850nm,MMF,300m,DOM) Features ATGBICSOSX040N03 10GBase-SRsupportsadistanceofupto300movermulti-modefibre (MMF)usingawavelengthof850nmviaanLCconnector. Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time monitoringoftheparametersofthefibre optictransceiver. Ourprodu	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
RTR040N03	文件：87.08 Kbytes Page：5 Pages	Switching(30V,4.0A) ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTR040N03	文件：86.55 Kbytes Page：5 Pages	2.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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详细参数

型号：
IPS040N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 90A 4mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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