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IPS031N03L

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-251(IPAK) packaging • High speed switching • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • DC-DC converters • Motor control • Switching applications

文件:247.11 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPS031N03LG

OptiMOS?? Power-Transistor

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro

文件:308.88 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPS031N03L G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

IPS031N03LGAKMA1

LV POWER MOS

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    IPAK SL (TO-251 SL)

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    3.1mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    4.4mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    90.0A

  • Ptot max:

    94.0W

  • IDpuls max:

    400.0A

  • VGS(th) min max:

    1.0V 2.2V

  • QG :

    25.0nC 

  • Rth :

    1.6K/W 

  • Ciss :

    4000.0pF 

  • Coss :

    1400.0pF 

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Infineon/英飞凌
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更多IPS031N03L供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00