丝印：60R017S7；Package：PG-HDSOP-22；600V CoolMOSª SJ S7 Power Device

Features • CoolMOS™ S7 technology enables 17mW RDS(on) in the smallest footprint • Optimized price performance in low frequency switching applications • High pulse current capability • Kelvin Source pin improves switching performance at high current • QDPAK bottom side cooling package is MSL1

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英飞凌

英飞凌的 600 V SJ MOSFET 采用底部冷却封装，可最大限度地减少传导损耗，并实现器件的标准化冷却和安装

600 V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 系列针对低传导损耗进行了优化，并且在紧凑型 SMD 封装的高压 SJ MOSFET 方面具有市场上最低的 RDS(on)。它具有前所未有的 RDS(on) x 价格品质因数，非常适合固态断路器和继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。底部冷却封装可最大限度地减少传导损耗，并实现器件的标准化冷却和安装。 • 紧凑型底部冷却 QDPAK 封装\n• 提高热阻\n• 用于高电流开关的开尔文源\n•;

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丝印：60A017S7；Package：PG-HDSOP-22；600V CoolMOSª SJ S7A Power Device

Features • Optimized for low switching frequency in high-end applications (circuit breakers and diode paralleling/replacement in bridge rectifiers). • S7A technology enables best in class RDS(on) in smallest footprint. • Kelvin Source pin improves switching performance at high current. • QDPA

文件：1.54345 Mbytes 页数：14 Pages

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英飞凌

英飞凌最低的 RDS(on)* SJ MOSFET，采用新颖的底部冷却 QDPAK 封装，非常适合低频开关汽车应用

\n优势:\n• Minimizes conduction losses\n• Increases energy efficiency\n• More compact and easier designs\n• Lower TCO cost or BOM cost;

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