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IPP80P04P4L-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • P-channel - Logic Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• No charge pump required for high side drive.\n• Simple interface drive circuit\n• World's lowest RDSon;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80P04P4L-08	文件：211.43 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：211.43 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

VDS max：
-40.0V
ID max：
-80.0A
RDS (on)(@10V) max：
8.2mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
13.0mΩ
QG(typical) ：
71.0nC
VGS(th) min max：
-1.2V -2.2V

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更多IPP80P04P4L-08供应商更新时间2025-10-5 11:04:00

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