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IPP65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPW65R310CFD	文件：335.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPX65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PIB65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	Ultra-FastbodyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP65R310CFD
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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