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IPP65R310CFD	文件：6.65181 Mbytes Page：20 Pages	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor 650VCoolMOSC6CFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDisespeciallysuitableforresonantswitchingPWM stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPP65R310CFD	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IIPP65R310CFD	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPW65R310CFD	文件：335.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA65R310CFD	文件：6.65181 Mbytes Page：20 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor 650VCoolMOSC6CFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDisespeciallysuitableforresonantswitchingPWM stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA65R310CFD	文件：6.65181 Mbytes Page：20 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor 650VCoolMOSC6CFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDisespeciallysuitableforresonantswitchingPWM stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA65R310CFD	文件：267.66 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB65R310CFD	文件：189.57 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IPB65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPI65R310CFD	文件：331.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPI65R310CFD	文件：6.65181 Mbytes Page：20 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor 650VCoolMOSC6CFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDisespeciallysuitableforresonantswitchingPWM stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
IPP65R310CFD
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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