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IPP65R280E6	文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.28Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R280E6	文件：2.03904 Mbytes Page：19 Pages	650V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R280E6	文件：1.89068 Mbytes Page：17 Pages	650V CoolMOS E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R280E6	文件：335.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R280E6	文件：2.03904 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R280E6	文件：1.89068 Mbytes Page：17 Pages	650VCoolMOSE6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP65R280E6
功能描述：
MOSFET N-CH 700V 13.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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