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IPP65R190CFD
厂商型号

IPP65R190CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

丝印标识

65F6190

封装外壳

PG-TO220

文件大小

3.83053 Mbytes

页面数量

20

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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IPP65R190CFD规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS™ CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.

Applications

   650V CoolMOS™ CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server and Telecom.

产品属性

  • 型号:

    IPP65R190CFD

  • 功能描述:

    MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
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25000
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