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IPP65R110CFD
厂商型号

IPP65R110CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

丝印标识

65F6110

封装外壳

PG-TO220

文件大小

3.85934 Mbytes

页面数量

20

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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IPP65R110CFD规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

• Ultra-fast body diode

• Very high commutation ruggedness

• Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

• Easy to use/drive

​​​​​​​• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC 

   (J-STD20 and JESD22)

• Pb-free plating, Halogen free mold compound

Applications

   650V CoolMOS CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

   stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server, Telecom and Solar.

产品属性

  • 型号:

    IPP65R110CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO220
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PG-TO220-3
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PG-TO220-3
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