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IPP65R095C7	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET; • 650V 电压\n• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装\n• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 低栅极电荷Qg\n• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间\n• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验\n\n优势:\n• 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用\n• 低通态损耗/小封装\n• 低开关损耗\n• 提高轻载效率\n• 增加功率密度\n• 出色的CoolMOS™质量\n; 英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R095C7	文件：1.63583 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R095C7	文件：339.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R095C7	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R095C7	文件：1.97711 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R095C7	文件：347.04 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=95mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPZ65R095C7	文件：1.53236 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

OPN：
IPP65R095C7XKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
95 mΩ
ID @25°C max：
24 A
QG typ @10V：
45 nC
Special Features：
highest performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
CoolMOS™ C7

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