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IPP60R1K4C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

V CoolMOS C6 Power Transistor Applications    PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM    stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server,    Telecom and UPS.

文件:1.14133 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPP60R1K4C6

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRIPTION • Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤1.4Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device p

文件:338.81 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP60R1K4C6

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

CoolMOS™ C6/E6系列将 Infineon 作为领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。这些器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。600V CoolMOS ™ C6 可替代 600V CoolMOS ™ C3650V CoolMOS ™ C6 可替代 650V CoolMOS ™ C3 • 易于控制开关行为\n• 由于品质因数 (R DS(on)* Q g 和 E oss) 非常低,损耗也非常低\n• 非常高的换向坚固性\n• 易于使用\n• 与 C3 相比,轻载效率更高\n• 凭借久经考验的 CoolMOS ™品质和高体二极管坚固性,实现了出色的可靠性\n• 与前几代 CoolMOS ™相比,性价比更高\n• 更高效、更紧凑、更轻便、更散热;

Infineon

英飞凌

IPU60R1K4C6

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:247.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPU60R1K4C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.09149 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPU60R1K4C6

Material Content Data Sheet

文件:32.87 Kbytes 页数:1 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • ID max:

    3.2 A

  • IDpulsmax:

    8 A

  • Ptotmax:

    28.4 W

  • QG:

    9.4 nC

  • QG(typ @10V):

    9.4 nC

  • RDS (on)max:

    1400 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    1400 mΩ

  • RthJAmax:

    62 K/W

  • RthJCmax:

    4.4 K/W

  • Rth:

    4.4 K/W

  • VDSmax:

    600 V

  • VGS(th):

    2.5 V to 3.5 V

  • Mounting:

    THT

  • Package:

    TO-220

  • Operating Temperaturemin:

    -55 °C

  • Pin Count:

    3 Pins

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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TO220-3
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全新原装正品现货,支持订货
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INFINEON
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TO-220铁头
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INFINEON
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TO-220铁头
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原装正品,有挂有货,假一赔十
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更多IPP60R1K4C6供应商 更新时间2025-10-7 11:00:00