丝印：6R099P6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS??P6 Power Transistor

Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw

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Infineon

英飞凌

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

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Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

丝印：60R099P7；Package：PG-TO220-3；600V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。 • 减少栅极电荷 (Qg)\n• 更高的 Vth\n• 体二极管耐久性良好\n• 经过优化的集成 Rg\n• dv/dt 从 50V/ns\n• 提高CoolMOS™ 的质量得益于英飞凌在超结技术领域拥有超过 12 年的制造经验\n\n优势:\n• 提高了效率，特别是在轻载条件下\n• 具备提前关闭功能，可提高软开关应用效率\n• 适用于硬开关和软开关拓扑\n• 优化了效率与易用性以及对开关行为的良好控制性之间的平衡\n• 坚固性高，效率更高\n• 出色的质量和可靠性;

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优化的功率 MOSFET，兼具高能效和易用性

The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficien Efficiency \n • 600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G\n Ease-of-use \n • Integrated ESD diode from 180mN and above R DS(on)s\n• Integrated gate resistor R G\n• Rugged body diode\n• Wide portfolio in through hole and surface mount packages\n• Both standard grade and industrial ;

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