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FIR120N06PG	文件：3.99502 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
HRLFS120N06H	文件：592.88 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IPB120N06NG	文件：445.48 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB120N06NG	文件：743.11 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB120N06NG	文件：1.02414 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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IPP120N06NG	文件：445.48 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP120N06NG	文件：1.69684 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KX120N06	文件：1.55804 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MSL120N06G	文件：745.15 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET
TSM120N06LCP	文件：320.22 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM120N06LCR	文件：423.63 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM120N06LCS	文件：327.77 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UTT120N06	文件：133.27 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
IPP120N06N G
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPP120N06N G供应商更新时间2024-5-21 16:16:00

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