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TSM120N06LCP

Low gate charge for fast power switching

文件:320.22 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM120N06LCP

60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM120N06LCR

Low gate charge for fast power switching

文件:423.63 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM120N06LCS

Low gate charge for fast power switching

文件:327.77 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

UTT120N06

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:133.27 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    60

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    70

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    12

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    9.7

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    15

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    11

  • Qg (nC) @ 10V:

    37

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    18

  • Qgd (nC):

    7.5

  • Qgs (nC):

    6

  • Ciss (pF):

    2118

  • Coss (pF):

    136

  • Crss (pF):

    86

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.7

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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