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TSM120N06LCS	文件：327.77 Kbytes Page：6 Pages	Low gate charge for fast power switching 文件：327.77 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM120N06LCS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
UTT120N06	文件：133.27 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：133.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
CS120N06	文件：378.51 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS120N06 C8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system min 文件：378.51 Kbytes 页数：10 Pages	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
FIR120N06PG	文件：3.99502 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.99502 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
HGS120N06SL	文件：911.54 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Ch Power MOSFET Feature ◇ High Speed Power Switching, Logic Level ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in T 文件：911.54 Kbytes 页数：6 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
60
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
23
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
12
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
10.4
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
15
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
11.9
Qg (nC) @ 10V：
37
Qg (nC) @ 4.5V：
19
Qgd (nC)：
8
Qgs (nC)：
6
Ciss (pF)：
2193
Coss (pF)：
208
Crss (pF)：
88
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1.2
VGS(th) Typ. (V)：
1.7

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