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IPP08CN10N

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPP08CN10NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPP08CN10NG

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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INFINEON

英飞凌

IPP08CN10N

OptiMOS®2 Power-Transistor

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPP08CN10N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 95A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPP08CN10N供应商 更新时间2026-1-27 13:38:00