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IPP083N10N5

N-channel, normal level

文件:1.85746 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP083N10N5

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPP083N10N5

20V-300V N-Channel Power MOSFET

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外,这些器件还可以在其他工业应用中使用,例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装,提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

IIPP083N10N5

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPA083N10N5

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:314.42 Kbytes 页数:2 Pages

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无锡固电

IPA083N10N5

Ideal for high frequency switching and sync. rec

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INFINEON

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP083N10N5AKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    8.3 mΩ

  • ID @25°C max:

    73 A

  • QG typ @10V:

    30 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多IPP083N10N5供应商 更新时间2026-1-29 16:36:00