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IPP076N15N5 | OptiMOS짧5 Power-Transistor, 150 V 文件:1.68319 Mbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IPP076N15N5 | N-Channel MOSFET Transistor 文件:338.97 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IPP076N15N5 | 20V-300V N-Channel Power MOSFET 英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。 • 降低 RDS(on)而不影响 FOMgd和 FOMoss\n• 降低输出电荷\n• 超低反向恢复电荷\n• 提高换流坚固性\n• 可以提高开关频率\n\n优势:\n• 减少并联\n• 使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸\n• 更高的功率密度设计\n• 更坚固的产品\n• 降低系统成本\n• 改善电磁干扰行为; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件:338.97 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:331.37 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
OptiMOS짧5 Power-Transistor, 150 V 文件:1.55778 Mbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN:
IPP076N15N5AKSA1
- Qualification:
Non-Automotive
- Package name:
PG-TO220-3
- VDS max:
150 V
- RDS (on) @10V max:
7.6 mΩ
- ID @25°C max:
112 A
- QG typ @10V:
49 nC
- Polarity:
N
- Operating Temperature min:
-55 °C
- Operating Temperature max:
175 °C
- Technology:
OptiMOS™ 5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
T0-220AB |
10000 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
25+ |
TO-220 |
918000 |
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INFINEON |
25+ |
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INFINEON |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
PG-TO220-3 |
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INFINEON |
25+ |
TO-220 |
8800 |
公司只做原装,详情来电咨询 |
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