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IPP076N15N5

OptiMOS짧5 Power-Transistor, 150 V

文件:1.68319 Mbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP076N15N5

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.97 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP076N15N5

20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。 • 降低 RDS(on)而不影响 FOMgd和 FOMoss\n• 降低输出电荷\n• 超低反向恢复电荷\n• 提高换流坚固性\n• 可以提高开关频率\n\n优势:\n• 减少并联\n• 使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸\n• 更高的功率密度设计\n• 更坚固的产品\n• 降低系统成本\n• 改善电磁干扰行为;

Infineon

英飞凌

IIPP076N15N5

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.97 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPI076N15N5

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:331.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPI076N15N5

OptiMOS짧5 Power-Transistor, 150 V

文件:1.55778 Mbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP076N15N5AKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    150 V

  • RDS (on) @10V max:

    7.6 mΩ

  • ID @25°C max:

    112 A

  • QG typ @10V:

    49 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

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更多IPP076N15N5供应商 更新时间2025-10-4 16:35:00