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IPP052NE7N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP052NE7N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:850.29 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP052NE7N3G

N-channel, normal level

文件:833.58 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP052NE7N3-G

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:850.29 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP052NE7N3G_15

N-channel, normal level

文件:833.58 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP052NE7N3 G

N 沟道功率 MOSFET

75V OptiMOS ™技术专门用于同步整流应用。这些 75V 产品基于领先的 80V 技术,同时具有最低的导通电阻和卓越的开关性能。 • 优化的同步整流技术\n• 全球最低的 R DS(on)\n• 优异的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)\n• MSL3 级;

Infineon

英飞凌

IPP052NE7N3GXKSA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Coss:

    805 pF

  • ID (@25°C) max:

    80 A

  • IDpulsmax:

    320 A

  • Ptotmax:

    150 W

  • QG(typ @10V):

    51 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    5.2 mΩ

  • Rth:

    1 K/W

  • VDSmax:

    75 V

  • VGS(th):

    3.1 V

  • Package:

    TO-220

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Polarity:

    N

  • Budgetary Price €/1k:

    0.78

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